従来のLSIウエハの寸法測定には、走査電子顕微鏡(Scanning
Electron Microscope)がつかわれてきたが、その水平分解能は一般的なもので10nm程度と、現在の最小加工寸法が0.1μmを切り始めた現在ではSEMの限界が近づきつつある。しかも薄膜化の技術も進歩しつつあるなか(例えばMOSデバイスのゲート酸化膜は数nm程度の厚さである)、SEMの垂直分解能は極端に低く、薄膜の凹凸の観察が困難だという問題もある。そのため、高い垂直分解能をもったSPMの利用が期待されている。(MOSデバイスの一例としては、「トランジスタ/MOS FET」を参照)