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超微細加工の基礎―電子デバイスプロセス技術/日本工業新聞社


半導体製造装置用語辞典/日本工業新聞社


半導体のすべて 入門ビジュアルテクノロジー/日本実業出版社



　

　　
イントロダクション
薄膜生成工程
露光工程
エッチング工程
不純物添加工程
リンク集

　
■ＩＣチップができるまで
　−　エッチング工程


最も一般的なドライエッチングである「平行平行板型反応性イオンエッチング」。


　化学反応を利用して、薄膜を形状加工するのが「エッチング」である。エッチング工程はリソグラフィ工程とセットになっているのが普通で、リソグラフィで作られたレジストパターンのとおりに薄膜を形状加工する。

　エッチングには、「ドライエッチング」と「ウェットエッチング」の二種類がある。


ドライエッチング

　最も一般的なドライエッチングは、平行平板型反応性イオンエッチングである(上のFlashアニメーションを参照)。この方法では、真空にしたチャンバーにウエハを入れ、必要なエッチングガスを導入する。上部電極と平行に置かれたウエハホルダーに高周波電圧を加えると、ガスはプラズマ化される。プラズマ中では正・負のイオンや電子などの電荷粒子、中性活性種などがバラバラな状態で存在している。エッチング種が膜に吸着されると、ウエハ表面で化学反応が起こり、生成物は表面から離脱して外部へ排気され、エッチングが進行する。

　ドライエッチングでは、レジストパターンどおりの高精度微細加工を行うために、被エッチング材とレジスト材のエッチング速度の比を大きく取り、結晶欠陥の発生や不純物汚染などによるエッチングダメージに注意しなければならない。


ウェットエッチング

　ウェットエッチングには、薬液の入ったエッチング槽にウエハを浸すディップ式と、ウエハを回転させながら薬液をスプレーするスピン式がある。

　ウエットエッチングは等方的に進行し、サイドエッチが生じるために、微細パターンには利用できない。しかし、膜の前面除去などの工程では現在も利用されている。



露光工程 不純物添加工程